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◈ 파워 SiC(MOSFET - SBD - 모듈) : 특허 상황 분석 - 보고서 코드 : 778077
Power SiC: MOSFETs - SBDs - Modules, Patent Landscape Analysis
SiC 시장 규모는 2017년 3억 200만 달러에서 2023년에는 15억 달러 이상으로 31%의 연평균 성장률(CAGR)로 확대될 것으로 예측됩니다.
SiC 기반 파워 일렉트로닉스(MOSFET - SBD(Schottky Barrier Diodes) - 파워 모듈)와 관련된 특허 상황에 대해 조사했으며, 특허 상황 개요, 주요 특허 출원인, 가장 활발한 기업, 부문별 분석 및 신규 진출 기업 등에 대해 분석했습니다.
제 1장 서론
제 2장 조사 방법
제 3장 주요 요약
제 4장 SiC MOSFET
제 5장 특허 상황 개요
ㆍ 특허 공보의 경시적 변화
ㆍ 주요 특허 출원인
ㆍ 주요 특허 출원인 : 본거지(국가)별
ㆍ 주요 IP 기업 : 특허 수와 현재 법적 상황
ㆍ 주요 특허 출원인의 경시적 변화
ㆍ 현재 가장 활발한 기업
ㆍ CREE/Wolfspeed에 대한 주목
ㆍ 특허 출원의 지역적 범위 및 그에 대응하는 특허의 현재 법적 상황
ㆍ 주요 특허 양수인 vs. 특허 부여/미결 국가
ㆍ 최근 만료된 특허
ㆍ 가까운 시일내에 만료되는 특허
ㆍ 결론
제 6장 특허 세분화
ㆍ PLANAR형 MOSFET, TRENCH형 MOSFET 및 게이트 산화막
ㆍ PLANAR형 SiCMOSFET
ㆍ TRENCH형 SiCMOSFET
ㆍ Gateoxide
제 7장 SiC SBD(Schottky Barrier Diodes)
ㆍ 특허 출원인의 경시적 변화
ㆍ 특허 양수인의 IP 리더십
ㆍ 주요 특허 패밀리
ㆍ 역사적인 특허 출원인과 최근의 특허
ㆍ 신규 진출 기업과 특허
ㆍ 결론
제 8장 SiC 파워 모듈
ㆍ 특허 공보의 경시적 변화
ㆍ 주요 특허 출원인의 경시적 변화
ㆍ 특허 양수인의 IP 리더십
ㆍ 풀 SiC 파워 모듈
ㆍ 하이브리드 SiC 파워 모듈
ㆍ IP 리더 기업의 포트폴리오 리뷰
ㆍ 신규 진출 기업에 대한 주목
ㆍ 결론
제 9장 결론
https://www.giikorea.co.kr/report/knm778077-power-sic-mosfets-sbds-modules-patent-landscape.html
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